聯華電子公司宣布，它將會越來越IBM的20nm制程設計套件和FinFET器件技術,所以代工可以使用的技術，以加速這些流程的可用性，為聯華電子的客戶。 fablesss芯片製造商是餓了20nm的FinFET器件的晶圓，從而導致其與IBM的許可，以加快與FinFET器件的三維晶體管代工的下一代20nm的CMOS工藝的發展.
目 前，聯華電子的代工解決方案，允許芯片設計公司的生產驗證的65納米，45/40nm，混合信號/ RFCMOS制，工藝和專業技術的廣泛利用。通過10晶圓製造設施，包括兩個先進的300mm晶圓廠，在台灣的Fab 12A和總部設在新加坡的晶圓廠12I：無論是在各種客戶產品量產的生產支持。
IC 陳聯華電子先進技術開發的副總裁，博士說，“我們很高興與技術進步工作的領導者如IBM公認的技術從事聯華電子作為世界領先的代工地位，包括適時推出領先 憑藉先進工藝，使下一代客戶的芯片設計。IBM的技術專長，以縮短我們的20nm及FinFET器件的研發週期，將聯華電子和我們的客戶創造雙贏的局 面."
聯 華電子和IBM之間的協議是IBM的20nm的CMOS和FinFET器件的包容性。聯華電子內部開發的20nm的平面過程將對準IBM的設計規則和工藝 /設備的目標，而聯華電子的FinFET器件將作為一個低功耗技術，移動計算和通信產品的增強選項提供。實施將在公司的台南，台灣研發基地.
